苏州纳方科技发展有限公司
企业简介

苏州纳方科技发展有限公司 main business:纳米技术开发、技术转让、技术咨询;对高科技行业投资; 提供科技型中小企业重组、收购、兼并、上市的策划。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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苏州纳方科技发展有限公司的工商信息
  • 320594000130109
  • 913205946849477124
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
  • 2009年01月21日
  • 景震强
  • 2419.700000
  • 2009年01月21日 至 2019年01月20日
  • 苏州工业园区市场监督管理局
  • 2016年03月22日
  • 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
  • 纳米技术开发、技术转让、技术咨询;对高科技行业投资; 提供科技型中小企业重组、收购、兼并、上市的策划。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州纳方科技发展有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN103633206B GaN基发光二极管、其制备方法及应用 2016.08.17 本发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P
2 CN102779649B 一种薄层石墨烯聚合物复合材料的制备方法 2016.01.20 本发明公开了一种薄层石墨烯聚合物复合材料的制备方法,是通过将石墨插层化合物和/或表面吸附有催化剂的薄
3 CN102841281B 一种LED外延片检测方法及装置 2015.07.22 本发明公开了一种LED外延片的检测方法及装置。该方法包括:在LED外延片的上、下端面之间施加一交流方
4 CN102280550B 具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法 2015.05.20 本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底,
5 CN103633206A GaN基发光二极管、其制备方法及应用 2014.03.12 发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型
6 CN102157633B LED外延芯片的分离方法 2013.01.16 一种LED外延芯片的分离方法。该方法为:在预留生长或生长有LED外延结构的硬质衬底背面光学刻蚀形成沟
7 CN102841281A 一种LED外延片检测方法及装置 2012.12.26 本发明公开了一种LED外延片的检测方法及装置。该方法包括:在LED外延片的上、下端面之间施加一交流方
8 CN102280550A 具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法 2011.12.14 本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底,
9 CN102157633A LED外延芯片的分离方法 2011.08.17 一种LED外延芯片的分离方法。该方法为:在预留生长或生长有LED外延结构的硬质衬底背面光学刻蚀形成沟
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